导电率随温度升高而升高、介于导体和^*绝缘体(insulator)之间的晶体物质。导电率对晶格(能带)中少量杂质很敏感。一些(施主)杂质增加了负电荷载流子(电子)的数目，构成n型半导体;其他(受主)杂质增加了正电荷载流子(空穴)的数目，构成p型半导体。杂质的掺入称“掺杂”。^*固态电子元件(Solid-state electronic components)，如二极管、^*晶体管(transistors)和^*集成电路(integrated circuits)都取决于半导体晶片上p区和n区间的结(p-n结)的特性。金属氧化半导体(MOS)器件也利用了半导体表面绝缘氧化薄层的特性。硅元素是目前使用最广的半导体材料。其他还有锗(现只作特殊用途)和砷化镓(应用在高速逻辑电路和微波设备中)。